₂@Fe OOH亚微米管电极活性材料。研究结果表明,这种亚微米管活性材料具有极大的比表面积(224 m² g^-1)以及非常优异的电解质亲和性。此外,由于活性材料原位衍生于化学铜集流体表面,因此两者之间结合非常紧密。得益于电极与活性材料结构的合理设计,所构筑的微电容器件实现了高的比电容量,高的能量密度以及优异的柔韧性。在器件制备工艺方面,电子电路与微电容电极同属于金属铜图形,使得微电容器件在电路中实现原位制备与集成成为了可能,推动了微电容器件在电子设备中应用的进程。4.针对目前传统的涂布、抽滤、直接印刷等热电薄膜制备技术在热电材料结构设计与性能上的不足,本文提出了一种基于化学铜镀膜原位转化的新型热电薄膜制备与成膜工艺,开发了一种具有纳米片阵列结构的p型Cu₂Se高效热电薄膜。在热电性能方面,所制备的Cu₂Se纳米片阵列结构同时具备原子级（阳离子空位）,纳米级（片厚）以及微米级（片宽）的宽尺度范围,可有效地散射不同波长范围的声子,从而实现优异的热电性能（ZT:0.5）与极低的热导率(0.13 W m^-1 K^-1)。在柔性薄膜构筑方面,通过在多孔PI基材上原位制备的方式使热电薄膜根植于衬底中,从而实现了附着力与柔性俱佳的热电薄膜。此外,这种原位制备与设计热电薄膜的工艺简单易行,材料与制备成本较低,为柔性热电薄膜的设计与应用展现了新的思路与途径。5.可印刷的热电器件因其简单灵巧的制备技术在批量生产以及器件设计方面具有独特的优势,但直接印刷的技术难以对热电材料的结构进行合理调控与加工,不利于材料与器件在热电性能上的进一步优化。此外,印刷热电器件与印刷电路在构筑工序上的差异给热电器件在电子设备中的集成应用造成了较大阻碍。鉴于此,本文发展了一种可原位集成的热电器件构筑技术。在化学铜图案的基础上,依次采用硒化处理与阳离子交换技术制备了一种pCu₂Se-nAg₂Se热电器件。由p型Cu₂Se薄膜进一步转化得来的n型Ag₂Se薄膜同样具备独特的纳米片阵列结构,也同样地表现出了极低的热导率(0.15 W m^-1 K^-1)与优异的热电性能（ZT:0.7）。此外,通过在多孔PI基材上原位制备的方式使热电薄膜根植于衬底中,从而实现了附着力与柔性俱佳的Ag₂Se热电薄膜以及pCu₂Se-nAg₂Se热电器件。这一项研究展示了一种可在铜基电子线路系统中原位制备和集成高性能热电器件的可行途径,促进了热电器件在电子领域中的发展与集成应用。

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论文DOI:10.27822/d.cnki.gszxj.2021.000016

论文分类号:TG174.4;O643.36;TN41

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