你好，我是电子学和工程技术。 我来回答这个问题。 这位朋友说的MOS管其实是场效应管的一种类型，学名是金属-氧化物-半导体场效应管，它是由金属、氧化物和半导体三者重叠而成的结构，“MOS”是金属(metal )、氧化物)、 半导体) )的全称缩写，我在这里并不太在意这个名字的由来，这里主要谈谈朋友们和现场的对应家属成员，介绍一下大家关心的问题，包括各自的种类、结构、工作过程、作用等。 言归正传，先直奔主题吧。 现场管理家庭成员

1、电子器件毕业论文选题，什么是mos管？

朋友，你好。 我是电子和工程技术。 回答这个问题。 这位朋友说的MOS管其实是场效应管的一种类型，学名是金属-氧化物-半导体场效应管，它是由金属、氧化物和半导体三者重叠而成的结构，“MOS”是金属(metal )、氧化物)、 半导体) )的全称缩写，我在这里并不太在意这个名字的由来，这里主要谈谈朋友们和现场的对应家属成员，介绍一下大家关心的问题，包括各自的种类、结构、工作过程、作用等。 言归正传，先直奔主题吧。

效果管家族成员在效果管家族中可分为三类成员，第一类是比较常用的一类，其大名为“绝缘栅效果管”(MOSFET )，小名为“MOS”管，也就是主题说话的MOS管第二类学名为“结型场效应管”(FET )； 第三类与前两个分支又不同，从“血缘”关系来说，该类应该属于“混血儿”。 这是由MOS管和三极管配合制成的复合管，我们称之为绝缘栅双极晶体管(IGBT )。 这个管子有独特的性质，非常重要。 比如变频器是必不可少的功率控制装置，家用电磁炉中也有，高铁中的总体来看，现场效果可以分为这三大分支。 那么，就谈谈各自的公正性吧。

结型场效应管(JFET )全面解读1、n通道场效应管

首先，让我来说明第一个分支成员。 它的名字叫“结型场效应管”(JFET )。 为了更好地理解其公正性，有必要解剖内部结构。 从其内部结构来看，与晶体管相似，也有两个PN结。 但是，与晶体管不同的是，两个p型区域由导线连接成为一个极，由导线引出。 为了便于记忆，我们把名字命名为“网格”，表示为g。 在其内部的n型区域又引出了两个电极，为了便于区别，一个给它命名为“漏极”，用d表示。 另一个引出的电极叫做“源”，用s表示。 因为漏极和源极之间都是n型半导体材料，所以这种场效应管被称为n沟道场效应管。

为了使这样的n沟道场效应晶体管发挥作用，在其外部必须具备两个条件。 第一，使其栅极g和源极s之间的小于零的电压，即Ug的电位小于Us的电位，即Ugs 0。 第二个条件是在漏极d和源极s之间施加正向电压。 也就是说，Ud的电位大于Us。 这是为了形成由Ugs电压控制的电流Id。 只有满足了以上两个条件，该n沟道场效应管才能发挥其作用。

2、p通道场效应管

p沟道场效应晶体管从其内部结构来看，漏极d和源极s连接在同一p型半导体材料上，因此被称为“p沟道场效应晶体管”。 为了使其动作，其外部也需要满足两个条件。 此条件与n沟道场效应晶体管相似，但在栅极g和源极s之间施加正向电压，即Ugs0，同时在漏极d和源极s之间施加反向电压，制作Uds 0。 满足这两个条件后，该栅极的电压就可以控制漏极的电流Id了。

3、结型场效应管(JFET )的作用

因此，无论是n沟道场效应晶体管还是p沟道场效应晶体管，这些分支的成员都具备以下特征。 首先，我们可以用栅极g的电压Ugs控制漏极的电流Id，用小的电压控制大的电流。 这与晶体管很相似，但晶体管只不过是用微弱的基极电流IB控制着较大的集电极电流Ic。 因此，我们通常称之为场效应管的是“压控半导体器件”，而晶体管是“电流控制半导体器件”。 其次，场效应晶体管是具有放大功能的半导体器件。 再次，结型场效应晶体管由于栅极和沟道的PN结反向作用，输入电阻非常高，达到10的9次方欧姆。

关于绝缘栅场效应晶体管(MOSFET )的全面解读，接下来是绝缘栅场效应晶体管(MOSFET )。 也称为MOS管。 该MOS管与结型场效应晶体管有相似之处。 也就是说，有n沟道MOS管和p沟道MOS管两种，按电极数划分也有栅电极g、漏电极d、源电极s三个电极。 与结型场效应晶体管JFET相比，绝缘栅场效应晶体管(MOSFET )利用半导体表面的场效应进行动作，因此从这一方面也可以称为“表面场效应晶体管”。 从其内部结构可知，MOS管的

由于栅极g绝缘，MOS的等效输入电阻更高，比结型场效应晶体管的电阻高数百万欧姆。 其结构如下图所示。

文章来源：《电子器件》 网址: http://www.dianziqijianzz.cn/zonghexinwen/2022/1208/612.html